值得关注的是,此为新任华人CEO陈立武接棒后首度公开亮相,业界解读Intel此举在向台积电、三星等竞争对手展示技术肌肉。
Intel 18A工艺将全球首次同时采用PowerVia背面供电和RibbonFET栅极环绕(GAA)晶体管技术,台积电则会在今年下半年2nm使用Nanosheet晶体管技术、2026年下半年导入超级电轨(Super Power Rail),2027年进行1.4nm风险性试产。
半导体从业者透露,若Intel 18A推进顺利,将会比台积电2nm更早导入晶背供电技术。
至于三星,虽然最早导入GAAFET晶体管技术,但良率始终未达量产水准。目前则主要关注三星自家Exynos 2600芯片,是否会在5月投入生产。
不过,三星预计2027年才会在SF2Z加上背面供电技术,推进上较竞争对手相对缓慢。
在三巨头往2nm前进之际,日本Rapidus也不容小觑。据悉,其北海道千岁市的2nm晶圆厂试产产线计划将在本月启用,瞄准2027年开始量产。
综合来看,台积电在先进工艺制程上有比较明显的速度优势,Intel正在新CEO的带领下奋起直追,成败关键就看18A是否能如期量产达成目标。