三星电子和SK海力士在尖端NAND领域的投资即将全面启动。此前，由于资源长期优先投向DRAM，相关计划一再推迟。随着人工智能产业带动存储需求快速上升，两家公司近期已开始敲定具体的扩产方案。

业内消息显示，三星与SK海力士均计划在今年第二季度推进最尖端NAND的“转换投资”。

三星已于2024年9月启动280层V9 NAND的量产，但目前产能规模仍较小，月产能仅约1.5万片晶圆。此前出于市场需求考虑，三星仅在平泽园区部署了初步量产线。

接下来，三星拟从今年第二季度起扩大V9产能，重点将放在中国西安的X2产线。目前该产线仍主要生产第6至第7代旧款NAND，而邻近的X1产线向第8代NAND的转换已基本完成。

据悉，当前业内讨论的转换投资规模约为月产4–5万片晶圆。随着设备逐步导入，V9 NAND预计将从明年起正式进入量产加速阶段。

半导体业内人士透露，三星原计划在第一季度启动西安X2产线的V9转换，但目前日程已推迟至第二季度。同时，平泽第一园区（P1）也在筹备相关投资。预计明年V9产品在生产中的占比将显著提升。

SK海力士方面也在积极推进先进NAND的产能扩张。公司计划于今年第二季度启动321层第9代NAND的转换投资，目标是在清州M15工厂实现月产约3万片晶圆的V9产能。与目前约2万片晶圆的水平相比，此次扩产幅度显著。

行业观察指出，三星与SK海力士均在为先进NAND需求的持续增长做提前布局。过去两家公司的设备投资几乎全部集中在DRAM，而目前NAND市场也已出现供应紧张的迹象。