美光科技宣布将在美国大幅扩大制造与研发投入，承诺至2035年总投资额将超过2500亿美元，旨在提升本土芯片制造能力并推动人工智能产业发展。作为该战略的一部分，美光位于纽约州克莱（Clay）的DRAM巨型晶圆厂已正式启动建设，该工程的“首罐混凝土浇筑”仪式较原计划提前一个季度完成，标志着项目施工正式进入地上主体结构施工阶段。

美光此次投资计划具有深远的战略目标，包括实现公司全球40%的DRAM内存产品在美国本土生产，并由此带动创造超过9万个就业岗位。此外，美光还宣布投入高达30亿美元，专门用于扶持本土半导体供应链生态系统的发展。美光董事长、总裁兼首席执行官桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）主持了此次奠基仪式，美国商务部长霍华德·卢特尼克（Howard Lutnick）、纽约州州长凯西·霍楚尔（Kathy Hochul）等政要及相关行业代表出席了活动。

美方对此项投资表示高度肯定，商务部长卢特尼克指出，美光在纽约州的大规模投资不仅为美国本土提供了尖端内存供应，更充分体现了在当前经济环境下，美国作为全球先进制造业核心高地的吸引力。在美光不断强化本土产能的同时，其在爱达荷州的工厂建设进展也颇为顺利，预计两座晶圆厂将分别于2027年年中和2028年年底实现首批晶圆产出。

面对全球对DRAM和NAND存储产品持续高涨的需求，美光已通过与多家客户签署“战略客户协议”，锁定未来3至5年的内存供应。此次纽约工厂的提前开工，不仅象征着美国本土先进半导体制造能力的回归，也标志着美光在应对人工智能时代算力与存储挑战方面迈出了坚实的一步。