近期，长鑫科技在核心技术领域动作频频：从8月全球首发量产LPDDR6，到9月第五代技术平台（G5）量产，再到近期宣布4F²架构关键进展。关键产品技术进展的背后，是公司的高强度研发投入：2026年前三季度研发投入达到110.71亿元，较上年同期增长73.03%。
据三季报披露，长鑫科技基于第六代技术平台开发的DRAM产品已完成工程样片验证，意味着进入产品量产前夜：完成工程样片验证指企业已完成内部技术验证和早期客户评估，下一步产品在重点客户处完成客户验证后，则可进入批量生产与出货阶段。
在端侧AI算力需求爆发的背景下，长鑫在产品端持续突破。8月底，长鑫宣布最新一代低功耗内存LPDDR6实现全球量产，并已首批搭载于主流智能手机旗舰机型。该芯片峰值速率达12800Mbps，带宽较上一代产品LPDDR5X提升60%，功耗降低20%，为端侧AI场景提供了关键存储支撑。