（来源：第三代半导体产业）
3月28日，山东天岳先进科技股份有限公司（A 股：688234；港股：02631，下称 “天岳先进”）发布公告（公告编号：2026-020），公司于 2026年3月与四家产业链合作方签署碳化硅产业链战略合作框架协议，各方将围绕新能源汽车、半导体、先进制造及产业投资等领域，开展项目、业务与资本深度合作，协同推进8 英寸碳化硅（SiC）芯片生产线项目落地。
当前国内碳化硅产业链进入快速发展期，大尺寸衬底与芯片产能成为制约产业规模化、自主可控的关键瓶颈。天岳先进作为全球少数实现8英寸碳化硅衬底量产的企业，已构建大规模、高品质稳定供应体系，2025年全球市占率位居前列，8英寸产品已成为公司核心增长极。此次合作方涵盖碳化硅芯片研发生产企业、电力科技与功率半导体资产运营主体、汽车系统及零部件制造商、产业投资机构，各方在技术、产能、市场、资本及政策资源上高度互补。
协议明确，合作五方将通过深度战略绑定，打通材料 — 芯片 — 车规应用 — 产能扩张 — 资本支持全链条，抢抓新能源汽车、AI 数据中心、光储充等领域的碳化硅需求爆发机遇，快速提升8英寸SiC芯片产能，推动全产业链自主可控与高质量发展。
本次合作聚焦三大方向：
项目协同：联合推进 8 英寸 SiC 芯片生产线建设，争取政策支持，加速产能落地；
业务联动：在衬底供应、芯片研发、车规级器件验证、先进制造配套等环节开展深度协作；
资本合作：依托产业投资机构资源，为项目落地与产业链整合提供资金支持。
合作方将建立高层会晤、项目联络人定期沟通机制，具体合作事项、实施进度及金额将另行签订专项协议，本次框架协议不涉及具体交易金额，无需提交董事会、股东大会审议。
8 英寸 SiC 衬底可利用面积较 6 英寸提升近 80%，能显着降低芯片制造成本，是第三代半导体产业升级的核心方向。天岳先进此次携手产业链多方共建芯片生产线，标志着公司从衬底材料环节向SiC 全产业链布局延伸，助力国内打破大尺寸 SiC 芯片产能依赖海外的局面，契合 “十五五” 规划中第三代半导体国产替代与产业链自主可控的战略导向。
公司提示，本次协议为框架性约定，具体合作存在不确定性，预计对 2026 年度业绩不构成直接影响，后续将按进展履行信息披露义务。
同日，天岳先进发布的2025年年报显示，公司2025年营业收入为14.65亿元，同比下降17.15%；归母净利润为-2.08亿元，同比下降216.36%；扣非归母净利润为-2.46亿元，同比下降257.53%。
业绩下滑主要系多方面因素共同影响，一方面公司碳化硅衬底产品销量虽显着增长、产销衔接效率提升、下游应用持续拓展，但受宏观环境、行业供需及公司主动降价以拓展市场等因素影响，产品均价阶段性下调导致营收同比下降，不过公司通过优化产品结构、布局高景气领域有效扩大了市场份额，为后续增长筑牢根基；另一方面，为抢抓大尺寸衬底商业化机遇、强化技术壁垒，公司加大市场推广、渠道建设及研发投入，致使销售费用与研发费用同比上升，对短期利润形成挤压；此外，历史税务事项规范调整、产品价格阶段性波动、汇兑损失、计提资产减值准备、境外上市筹备一次性中介费用及高研发投入等多重一次性、阶段性因素，共同导致公司利润总额、净利润及扣非净利润由盈转亏。报告期内公司经营活动产生的现金流量大幅增长，主要得益于政府补助及利息收入增加，财务状况整体良好，而随着降本增效成效逐步释放、核心产品渗透率持续提升，公司盈利能力有望逐步修复增强。