全球半导体盛会SEMICON China 2026正在上海举行，从展会传来的消息，日本权威市场调研机构富士经济（Fuji Keizai）发布2025年全球碳化硅产业研究报告。数据显示，我国企业天岳先进在全球碳化硅衬底市场占有率、6英寸及8英寸产品市场份额均跃居世界首位。其中，导电型碳化硅衬底全球市占率提升至27.6%，超越国际巨头Wolfspeed；8英寸碳化硅衬底出货量占比高达51.30%，占据全球过半市场份额。而法国权威市场调研机构Yole给出的数据显示，天岳先进在全球8英寸碳化硅衬底市场占有率已经达到60%。

这一突破，标志着我国在第三代半导体关键材料领域实现了自主可控与全球引领，为新能源汽车、人工智能算力基础设施、新型电力系统等国家战略产业筑牢了核心材料支撑。

碳化硅作为第三代半导体核心基础材料，具备耐高温、低损耗、高开关频率等突出优势，是支撑绿色低碳转型、培育新质生产力的关键战略材料。近年来，我国坚持创新驱动发展，强化产业链协同创新与自主可控布局，持续推进碳化硅从衬底制备、外延生长到器件封装的全链条国产化攻关，本土供应链稳定性与核心竞争力显著增强。

全球市场份额跃升，天岳先进稳居行业龙头

根据富士经济的数据，2025年天岳先进导电型碳化硅衬底的全球市场份额从2023年的12%跃升至27.6%。分尺寸看，公司6英寸碳化硅衬底全球市占率达27.5%，首次超越传统龙头Wolfspeed；8英寸碳化硅衬底市占率高达51.3%，成为行业前列。在下一代技术布局方面，天岳先进于2024年全球首发12英寸碳化硅衬底，并迅速完成导电型、半绝缘型、P型全产品矩阵构建，目前已实现12英寸产品向核心客户的批量供应，为新一轮产业增长储备了关键动能。

这一成绩得益于天岳先进十余年的技术积累。作为全球首家具备8英寸导电型碳化硅衬底大规模供应能力的企业，公司首创液相法制备技术，成功制备出无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底，攻克了行业长期存在的技术瓶颈。同时，公司率先实现350微米厚度产品批量交付，推出无小面、低电阻等高端产品，掌握位错无损检测、压损伤层监控等核心技术，形成差异化竞争优势。

在交付能力与客户资源方面，天岳先进已与全球前十大功率半导体器件制造商中的多数企业建立合作关系，包括英飞凌、博世、罗姆等国际巨头，并于2025年获得博世集团“卓越供应商”称号，成为国际头部厂商的重要合作伙伴。

大尺寸布局领先，掌握产业发展话语权

碳化硅产业的发展关键在于大尺寸化与成本下降的双重突破，而天岳先进凭借对大尺寸技术的前瞻布局与量产能力，牢牢掌握了行业发展的话语权。

8英寸衬底的规模化应用，是碳化硅产业的关键转折点。数据显示，相较于6英寸晶圆，8英寸晶圆可使芯片产量增加90%，SiC MOSFET芯片成本有望降低54%，这一突破直接加速了碳化硅材料的大规模应用。天岳先进早已精准卡位这一核心赛道，在8英寸产品量产能力上领先全球竞争对手。

公司前瞻性布局生产体系，提前对晶体生长设备进行差异化设计，实现8英寸和6英寸碳化硅衬底生产工艺的兼容，具备灵活的产能切换能力。随着8英寸碳化硅衬底需求持续攀升，公司济南工厂与上海临港工厂协同发力，其中临港工厂已于2024年年中提前达到年产30万片导电型衬底的产能规划，目前双基地合计设计产能已突破40万片，为全球市场提供稳定的供应保障。

在产品质量层面，天岳先进始终坚持高标准要求，通过全流程质量管控确保生产一致性，为全球客户提供可靠的批量交付服务。基于客户反馈，公司持续迭代升级8英寸碳化硅衬底生产工艺，不断优化产品性能，进一步巩固了在大尺寸时代的领先地位。目前，全球已有超过10条8英寸SiC产线规划落地，德国英飞凌、博世，日本罗姆等企业均明确了8英寸产线升级路线图，天岳先进凭借先发优势，成为这一产业浪潮的核心引领者。

多领域需求共振，碳化硅应用空间持续拓展

碳化硅产业正迎来应用需求的快速释放。在新能源汽车领域，800V高压平台普及带动碳化硅成为关键配置，随着成本下降，SiC MOSFET加速替代IGBT并向中低端车型渗透，天岳先进的8英寸衬底已深度切入车载核心供应链，充分享受行业红利。

在AI数据中心领域，碳化硅凭借低损耗、耐高温、高频高效等特性，成为应对算力带来的散热与能耗瓶颈的重要选择。英伟达计划于2027年切换800V高压架构，将进一步拉动碳化硅需求。天岳先进凭借大尺寸衬底的稳定供应能力，深度绑定国际头部厂商，抢占千亿级市场。

在AR眼镜领域，碳化硅因其优异光学性能成为光波导核心材料。天岳先进8英寸及12英寸大尺寸产能的落地，提升了材料利用率并降低制造成本，有望加速消费级终端的量产落地。

在先进封装领域，碳化硅的高导热特性有助于解决CoWoS封装的散热问题，英伟达计划于2027年将GPU封装中介层更换为碳化硅，为碳化硅材料开辟了新的应用方向。此外，光伏、储能、电网等领域也持续向全SiC方案演进，进一步拓展了市场需求空间。依托全球领先的技术与产能，天岳先进正全面释放增长势能，持续领跑全球碳化硅衬底产业。

产能扩张与资本运作协同，夯实全球龙头地位

产业竞争的本质，是产能与资本的竞争。天岳先进凭借清晰的产能规划与强大的资本运作能力，持续巩固全球龙头地位。

2024年，天岳先进提出了96万片碳化硅衬底的产能规划并分步实施，目前推进顺利。2025年8月，公司正式在香港联合交易所主板上市，开启“A+H”双平台布局，资本实力进一步增强。此次上市募集资金中，约70%将用于扩张8英寸及更大尺寸碳化硅衬底产能，约20%将用于加强研发能力，以推动全球产能布局与技术升级。

业内人士指出，天岳先进实现全球领跑，是我国第三代半导体产业自主创新的标志性成果。随着大尺寸产能持续释放、新兴应用加速落地，我国碳化硅产业有望进一步巩固全球领先地位，持续提升关键核心技术自主可控水平，为制造强国、科技强国、能源强国建设提供有力支撑。